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2026年1月8日，中微公司（688012.SH）发布了一则公告：公司董事长、总经理尹志尧拟于1月30日至4月29日减持0.046%股权，原因是由于其从外籍恢复中国籍，出于依法办理相关税务需要而进行的减持。截至1月9日收盘，中微公司股价报336.68元/股，总市值为2108亿元。尹志尧拟减持股票市值约为9764万元。
一纸公告，将即将82岁的尹志尧和中微公司推至台前，引起市场关注。目前，尹志尧持有中微公司0.664%股权。
截至1月16日收盘，中微公司市值超2300亿元
对于尹志尧而言，从2004年创办中微公司到今天，他用了20多年将这家公司从零打造成全球领先的微观加工设备巨头，在刻蚀领域足以与应用材料、泛林半导体等国际大鳄分庭抗礼。
而在20年前，人们普遍不觉得在技术壁垒极高、被美日巨头绝对垄断的半导体高端制造设备领域，一家中国初创公司能有生存空间。但尹志尧改变了整个行业的看法。
目前的中微公司，市值已经高达2361亿元（截至2026年1月16日）。中微公司最新披露的三季报显示，2025年前三季度，公司实现营业收入80.63亿元，同比增长46.40%；实现归属于上市公司股东净利润12.11亿元，同比增长32.66%。
（图片来源：中微公司）
60岁创办中微公司
1944年出生的尹志尧，1956年考入北京市第四中学，与中芯国际前董事长江上舟为校友。在经历了中国科学技术大学化学物理学士学位、北京大学化学系就读研究生的学术历练后，尹志尧在二十世纪八十年代踏上硅谷。
那时正是张忠谋在德州仪器崭露头角、英特尔确立半导体霸权的黄金时代博大策略，尹志尧先后在英特尔、泛林半导体和应用材料等半导体巨头工作了近20年，他亲手参与了多代刻蚀机的研发，是几代等离子体刻蚀技术及设备的主要发明人和工业化应用的推动者之一，这些机器如今仍有在全球各地的生产线上运作。
刻蚀，是芯片制造三大核心工艺（光刻、刻蚀、薄膜沉积）之一。就像光刻机被视为半导体制造突破先进制程的关键设备，台积电、中芯国际、海力士等晶圆制造巨头在推进更先进的制程时，必须依赖高精度的等离子体刻蚀技术，在硅片上雕琢出数以百亿计、深宽比极大的微观沟槽。
凭借自己的勤奋和聪明，在泛林半导体，尹志尧主导研发的“彩虹号”电容性介质等离子体刻蚀机，助力泛林半导体确立了市场和技术领先；在应用材料，他作为企业副总裁、刻蚀产品事业部总经理、亚洲总部首席技术官，几乎参与了当时最重要的几代刻蚀设备研发。
在硅谷的20年里，尹志尧个人拥有超过80项美国专利，被公认为等离子体刻蚀技术领域最有影响力的专家之一。
如果说光刻是在硅片上画出极其精细的电路图纸，那么薄膜沉积就是负责在硅片表面铺上一层薄膜，刻蚀则在硅片上雕刻出微观的沟槽，按照图纸去掉不该有薄膜覆盖的地方，随着芯片制程从28纳米向更先进制程演进，这种微观雕刻的难度呈几何级数增长。
在总结刻蚀工艺在芯片制造中的核心地位时，尹志尧解释说，实现极高精度的“微观雕刻”能力对于半导体产业跨越物理极限至关重要。从早期的65 纳米、40纳米，到如今攻坚的5纳米、3纳米，每一代制程的演进都离不开刻蚀机的精准作业。
他将微观加工比作“剪窗花”：薄膜沉积负责提供“红纸”，光刻机负责在纸上画出“花纹”，而等离子体刻蚀机则充当那把极其精密的“剪刀”，负责去掉不该有的部分，最终刻画出一层层的微观结构。
尽管光刻机始终被视为三大工艺的“老大”，但随着制程进入14纳米以下，即使是极紫外（EUV）光刻机的波长也难以直接画出更细的线条。此时，行业必须通过多重模板技术，利用刻蚀机和薄膜的配合进行处理，将线条由粗变细。
到今天，刻蚀技术的每一次突破，都直接为先进制程量产清除了障碍，而芯片性能的提升又反过来对刻蚀工艺提出了更严苛的要求，形成了推动摩尔定律前行的循环。
2004年，尹志尧听从时任上海市经委副主任江上舟的劝导，辞去了当时全球最大的半导体设备商应用材料公司副总裁的工作，回到上海创办中微半导体设备公司，研究半导体刻蚀工艺设备，将余生交付给中国的半导体事业。
从围堵中突围：多次面临美国政府打压博大策略
中微初创时，面对的是已经建立了数十年专利壁垒和市场霸权的国际巨头，处境极其艰难。
面对这种近乎窒息的压制，尹志尧并未选择按部就班地补短板，而是提出必须在技术路线上实现创新与差异化，直接实现赶超。例如，针对困扰行业20年的等离子源难题，中微首创了将高频和低频交流射频全部加在下电极的“去耦合反应离子刻蚀”概念，这一技术领先了国际巨头数年，甚至引发了后续的行业跟进。
在设备结构上，中微更是剑走偏锋，研发出“双反应台同时加工”的巧妙设计。这种在一个反应器内实现两片晶圆同时操作的方案，让生产效率在同样的占地空间内实现了翻倍。
2007年6月，中微公司首台双反应台CCP刻蚀设备研制成功，交付国内客户。该台刻蚀机可应用于12英寸晶圆产线，覆盖65纳米至45纳米的芯片生产，实现了国产高端刻蚀设备从0到1的突破。正是凭借这种与众不同的技术创新路线，中微成功地在市场中为中国半导体设备争得了一席之地。
中微公司在刻蚀领域异军突起，迅速引起了国际巨头的警惕。对于领先者而言，诉讼是遏制潜在竞争对手最廉价且有效的手段。
2007年10月，应用材料公司首先发难，在美国联邦法院起诉中微，指控其侵犯专利并窃取商业秘密。随后，泛林集团也对中微提起诉讼，当时的中微规模尚小，资金捉襟见肘，面对市值百倍于自己的对手，外界普遍认为这家初创公司难逃夭折命运。
然而，尹志尧展现出了典型工程师式理性。他在内部推行严苛的“净室”研发流程，要求研发人员在设计之初就进行详尽的专利规避，确立技术路径的独立性。此外，他不惜斥资2500万美元聘请顶尖律师团队，对公司内部的海量文档进行详细核查，以自证核心技术完全属于自主研发，绝非源自前东家应用材料。
在长达数年的拉锯战中，中微不仅在法庭上出示了扎实的原创研发记录，更直接向法官展示了完全独立设计、不同于对手的反应腔室结构。在构筑防御工事的同时，尹志尧还发起反击，在上海起诉应用材料不正当竞争。
拉锯两年半，双方和解，意味着中微公司从技术上站稳了脚跟，此后泛林亦起诉过中微专利侵权，但均以中微胜诉告终。
2015年，美国商务部解除对中国高端刻蚀设备的出口管制，理由是中微等离子体刻蚀机的成功研发和量产，技术封锁“已无必要”。
目前，中微已经开发了18种等离子体刻蚀设备，覆盖从65纳米至5纳米及更先进制程工艺的应用。在薄膜沉积设备（MOCVD）上，中微公司于2010年从零开始，一举打破国内市场一直被美国维科（Veeco）和德国爱思强（Aixtron）两家供应商长期垄断的局面。
2019年7月22日，中微公司挂牌科创板，成为首批登陆科创板的25家公司之一，是其中唯一的半导体设备制造企业，被市场视为“硬科技”的标杆。
同时，中微公司在上市当天的表现也极具话题性，其发行市盈率高达170倍，远超当时A股普遍的23倍红线，被视为中国资本市场从看重“盈利规模”转向看重“研发积累”的一大代表。
上市后，中微公司的挑战从商业诉讼演变为地缘博弈，多次面临美国政府打压。地缘政治因素迫使中微公司加速了研发补短板进程，财报显示，2025年前三季度，中微研发支出达25.23亿元，同比增长约63.44%，研发占比高达31.29%。
董事长已从美籍恢复为中国籍
回国之初，60岁的尹志尧流传颇广的一件轶事是，他在上海搭乘出租车时，司机看其状态，随口夸赞他“看起来也就38岁左右”，听闻其已年届花甲，司机惊叹不已。至今，尹志尧仍保持着极高的工作强度，战斗在科研与管理第一线。
而其一手缔造的中微公司，完成了从零到与美日巨头同场角力的跨越。身处在地缘政治风暴的中心，尹志尧以老牌硅谷人的法治理性沉稳应对，坚持以法律逻辑回应政治压力，以攻为守。这二十年的征程，他证明了在硬科技的硬核赛道里，中国企业不仅能靠技术突围，更能靠规则与格局赢得尊重。
如今，82岁的尹志尧通过一纸减持公告，向外界展示了他人生一次重大身份回归：从美籍恢复为中国籍，一位“硅谷老兵”对自己创业初衷，有了一个终极交代。
回首往事，尹志尧曾感言，自己在硅谷的二十年虽然深度参与了美、日顶级半导体设备巨头的崛起，但作为在中国受过良好教育、拥有十余年本土实战经验的老兵，三十六岁才赴美的他内心始终存有一种对祖国的欠缺感，“应该给自己的国家做事情。”
这种报国情怀不仅是个人志向，更是家族血脉的延续，“我们家前面三代都是学成回国报效祖国的，参加了民主革命和社会主义建设，所以我一定要效仿前辈的精神。”
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